Name: SQJQ112E-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJQ112E-T1_GE3TR-ND
Price: 5.166 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SQJQ112E-T1_GE3
Número de produto da DigiKey	742-SQJQ112E-T1_GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SQJQ112E-T1_GE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SQJQ112E-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SQJQ112E-T1_GE3
Descrição	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Tempo de espera previsto do fabricante	37 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Montagem em superfície PowerPAK® 8 x 8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SQJQ112E-T1_GE3 Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3,5V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 272 nC @ 10 V
Séries TrenchFET® Gen IV	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 15945 pF @ 25 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 600W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 296A (Tc)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Invólucro do dispositivo fornecido PowerPAK® 8 x 8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 2,53mOhm a 20A, 10V	Pacote / Invólucro PowerPAK® 8 x 8