FET simples, MOSFETs

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Situação do produto
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
Vgs(th) (máx.) para Id
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
Vgs (máx.)
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
Característica FET
Dissipação de potência (máx.)
Temperatura de operação
Grau
Qualificação
Tipo de montagem
Invólucro do dispositivo fornecido
Pacote / Invólucro
86 167
Em estoque
1 : 0,12000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,02246 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
200mA (Ta)
4,5V, 10V
3,9Ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
320mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
31 826
Em estoque
1 : 0,13000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,02415 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5Ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
320mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
sot-23
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
Diotec Semiconductor
4 275
Em estoque
1 : 0,13000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,02576 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
280mA (Ta)
5V, 10V
5Ohm a 500mA, 10V
2,5V a 250µA
-
±30V
50 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
120 987
Em estoque
1 : 0,14000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,02661 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm a 500mA, 10V
2,5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
1,08W
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
98 678
Em estoque
1 : 0,15000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03065 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5Ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C
-
-
Montagem em superfície
SSM
SC-75, SOT-416
SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
81 445
Em estoque
1 : 0,15000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03127 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm a 50mA, 5V
2,5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
71 248
Em estoque
1 : 0,15000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,02996 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
50 V
220mA (Tj)
4,5V, 10V
3,5Ohm a 220mA, 10V
1,5V a 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
350mW
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TL431BFDT-QR
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
2 941
Em estoque
1 : 0,15000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03045 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm a 300mA, 10V
1,5V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C a 150°C (TA)
Automotivo
AEC-Q101
Montagem em superfície
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MMBT2222AWT1G
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
onsemi
110 177
Em estoque
1 : 0,16000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03273 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
310mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6Ohm a 500mA, 10V
2,5V a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
280mW (Tj)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SC-70-3 (SOT323)
SC-70, SOT-323
SOT-323
MOSFET P-CH 50V 150MA SOT323
Nexperia USA Inc.
2 010
Em estoque
1 : 0,16000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03192 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal P
MOSFET (óxido metálico)
50 V
150mA (Ta)
10V
7,5Ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
260mW (Ta), 830mW (Tc)
-55°C a 150°C (TJ)
Automotivo
AEC-Q101
Montagem em superfície
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-323
MOSFET N-CH 30V 180MA SOT323
Nexperia USA Inc.
1 226
Em estoque
1 : 0,16000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03192 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
30 V
180mA (Ta)
2,5V, 10V
4,5Ohm a 100mA, 10V
1,5V a 250µA
0.44 nC @ 4.5 V
±20V
13 pF @ 10 V
-
260mW (Ta), 1,1W (Tc)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-323
SC-70, SOT-323
DTC114YEBTL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
984 607
Em estoque
1 : 0,17000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03480 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 2,5V
1,2Ohm a 100mA, 2,5V
1V a 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
SOT 23-3
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
277 523
Em estoque
1 : 0,17000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03369 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6Ohm a 500mA, 10V
2,3V a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
199 987
Em estoque
1 : 0,17000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03496 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
320mA (Ta)
10V
1,6Ohm a 300mA, 10V
1,5V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW (Ta), 830mW (Tc)
-55°C a 150°C (TA)
Automotivo
AEC-Q101
Montagem em superfície
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Diodes Incorporated
111 605
Em estoque
1 : 0,17000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03314 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
180mA (Ta)
5V, 10V
6Ohm a 115mA, 5V
2V a 250µA
-
±20V
23 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
50 259
Em estoque
1 : 0,17000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03376 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
20 V
200mA (Ta)
1,5V, 4,5V
2,2Ohm a 100mA, 4,5V
1V a 1mA
-
±10V
12 pF @ 10 V
-
100mW (Ta)
150°C (TA)
-
-
Montagem em superfície
SSM
SC-75, SOT-416
SOT-23-3
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
283 881
Em estoque
1 : 0,18000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03700 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal P
MOSFET (óxido metálico)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm a 100mA, 5V
2V a 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
216 077
Em estoque
1 : 0,18000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03591 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5Ohm a 240mA, 10V
2,5V a 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
43 636
Em estoque
1 : 0,18000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03514 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
30 V
350mA (Ta)
2,5V, 10V
2,8Ohm a 250mA, 10V
1,5V a 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
8 601
Em estoque
1 : 0,18000 €
Fita cortada (CT)
10 000 : 0,02916 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5Ohm a 100mA, 10V
2,1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
CST3
SC-101, SOT-883
DTA124EUBHZGTL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
68 259
Em estoque
1 : 0,19000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03794 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
50 V
200mA (Ta)
0,9V, 4,5V
2,2Ohm a 200mA, 4,5V
800mV a 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
UMT3F
SC-85
DTA023YMT2L
MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
47 814
Em estoque
1 : 0,19000 €
Fita cortada (CT)
8 000 : 0,03246 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal P
MOSFET (óxido metálico)
20 V
100mA (Ta)
1,2V, 4,5V
3,8Ohm a 100mA, 4,5V
1V a 100µA
-
±10V
15 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
VMT3
SOT-723
SOT 23-3
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
833 423
Em estoque
1 : 0,20000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03979 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
115mA (Tc)
5V, 10V
7,5Ohm a 500mA, 10V
2,5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
228 008
Em estoque
1 : 0,20000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03830 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
100 V
170mA (Ta)
10V
6Ohm a 170mA, 10V
2V a 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-523
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
Diodes Incorporated
172 377
Em estoque
1 : 0,20000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03933 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Ativo
Canal N
MOSFET (óxido metálico)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm a 50mA, 5V
2V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
150mW (Ta)
-55°C a 150°C (TJ)
-
-
Montagem em superfície
SOT-523
SOT-523
Mostrando
de 45 439

FET simples, MOSFETs


Transistores de efeito de campo simples (FETs) e transistores de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor (MOSFETs) são tipos de transistores usados para amplificar ou comutar sinais eletrônicos.

Um FET simples opera controlando o fluxo de corrente elétrica entre os terminais da fonte e do dreno, por meio de um campo elétrico gerado por uma tensão aplicada ao terminal de porta. A principal vantagem dos FETs é sua alta impedância de entrada, o que os torna ideais para uso em amplificação de sinais e circuitos analógicos. Eles são amplamente utilizados em aplicações como amplificadores, osciladores e estágios de buffer em circuitos eletrônicos.

Os MOSFETs, um subtipo de FETs, têm um terminal de porta isolado do canal por uma fina camada de óxido, o que melhora seu desempenho e os torna altamente eficientes. Os MOSFETs podem ser categorizados em dois tipos:

Os MOSFETs são preferidos em muitas aplicações devido ao seu baixo consumo de energia, chaveamento de alta velocidade e capacidade de lidar com grandes correntes e tensões. Eles são cruciais em circuitos digitais e analógicos, incluindo fontes de alimentação, acionadores de motor e aplicações de radiofrequência.

A operação dos MOSFETs pode ser dividida em dois modos:

  • Modo de enriquecimento: neste modo, o MOSFET normalmente está desligado quando a tensão da porta-fonte é zero. Para ligar é necessária uma tensão de porta-fonte positiva (para canal n) ou uma tensão de porta-fonte negativa (para canal p).
  • Modo de depleção: neste modo, o MOSFET normalmente está ligado quando a tensão da porta-fonte é zero. Aplicar uma tensão de porta-fonte de polaridade oposta pode desligá-lo.

Os MOSFETs oferecem diversas vantagens, como:

  1. Alta eficiência: eles consomem muito pouca energia e podem alternar estados rapidamente, o que os torna altamente eficientes para aplicações de gerenciamento de energia.
  2. Baixa resistência de condução: eles têm baixa resistência quando ligados, o que minimiza a perda de potência e a geração de calor.
  3. Alta impedância de entrada: a estrutura de porta isolada resulta em impedância de entrada extremamente alta, tornando-os ideais para amplificação de sinais de alta impedância.

Em resumo, FETs simples, particularmente MOSFETs, são componentes fundamentais na eletrônica moderna, conhecidos por sua eficiência, velocidade e versatilidade em uma ampla gama de aplicações, desde amplificação de sinal de baixa potência até chaveamento e controle de alta potência.