NovuSem FET simples, MOSFETs
N.º de peça do fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Preço | Séries | Embalagem | Situação do produto | Tipo de FET | Tecnologia | Tensão dreno-fonte (Vdss) | Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | Rds on (máx.) para Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) para Id | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | Dissipação de potência (máx.) | Temperatura de operação | Tipo de montagem | Invólucro do dispositivo fornecido | Pacote / Invólucro | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
218 Mercado | 218 : 57,76427 € Bandeja | Bandeja | Ativo | - | SiCFET (carboneto de silício) | 1200 V | 214A (Tc) | 20V | 12mOhm a 20A, 20V | 3,5V a 40mA | +22V, -8V | 8330 pF @ 1000 V | - | - | Montagem em superfície | Pastilha | Matriz | |||
218 Mercado | 218 : 42,30404 € Bandeja | Bandeja | Ativo | - | SiCFET (carboneto de silício) | - | 214A (Tc) | 20V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |||
0 Mercado | Ativo | Tubo | Ativo | Canal N | SiCFET (carboneto de silício) | 1200 V | 47A (Tc) | 20V | 75mOhm a 20A, 20V | 2,8V a 5mA | +20V, -5V | 1450 pF @ 1000 V | 288W (Ta) | -55°C a 175°C (TJ) | Furo passante | TO-247-4L | TO-247-4 |




