NovuSem FET simples, MOSFETs

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Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
Vgs(th) (máx.) para Id
Vgs (máx.)
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
Dissipação de potência (máx.)
Temperatura de operação
Tipo de montagem
Invólucro do dispositivo fornecido
Pacote / Invólucro
NC1M120C12WDCU
SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V NiPdA
NovuSem
218
Mercado
218 : 57,76427 €
Bandeja
Bandeja
Ativo
-
SiCFET (carboneto de silício)
1200 V
214A (Tc)
20V
12mOhm a 20A, 20V
3,5V a 40mA
+22V, -8V
8330 pF @ 1000 V
-
-
Montagem em superfície
Pastilha
Matriz
NC1M120C12WCNG
SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V
NovuSem
218
Mercado
218 : 42,30404 €
Bandeja
Bandeja
Ativo
-
SiCFET (carboneto de silício)
-
214A (Tc)
20V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
NC1M120C12HTNG
SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 4
NovuSem
0
Mercado
Ativo
Tubo
Ativo
Canal N
SiCFET (carboneto de silício)
1200 V
47A (Tc)
20V
75mOhm a 20A, 20V
2,8V a 5mA
+20V, -5V
1450 pF @ 1000 V
288W (Ta)
-55°C a 175°C (TJ)
Furo passante
TO-247-4L
TO-247-4
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FET simples, MOSFETs


Transistores de efeito de campo simples (FETs) e transistores de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor (MOSFETs) são tipos de transistores usados para amplificar ou comutar sinais eletrônicos.

Um FET simples opera controlando o fluxo de corrente elétrica entre os terminais da fonte e do dreno, por meio de um campo elétrico gerado por uma tensão aplicada ao terminal de porta. A principal vantagem dos FETs é sua alta impedância de entrada, o que os torna ideais para uso em amplificação de sinais e circuitos analógicos. Eles são amplamente utilizados em aplicações como amplificadores, osciladores e estágios de buffer em circuitos eletrônicos.

Os MOSFETs, um subtipo de FETs, têm um terminal de porta isolado do canal por uma fina camada de óxido, o que melhora seu desempenho e os torna altamente eficientes. Os MOSFETs podem ser categorizados em dois tipos:

Os MOSFETs são preferidos em muitas aplicações devido ao seu baixo consumo de energia, chaveamento de alta velocidade e capacidade de lidar com grandes correntes e tensões. Eles são cruciais em circuitos digitais e analógicos, incluindo fontes de alimentação, acionadores de motor e aplicações de radiofrequência.

A operação dos MOSFETs pode ser dividida em dois modos:

  • Modo de enriquecimento: neste modo, o MOSFET normalmente está desligado quando a tensão da porta-fonte é zero. Para ligar é necessária uma tensão de porta-fonte positiva (para canal n) ou uma tensão de porta-fonte negativa (para canal p).
  • Modo de depleção: neste modo, o MOSFET normalmente está ligado quando a tensão da porta-fonte é zero. Aplicar uma tensão de porta-fonte de polaridade oposta pode desligá-lo.

Os MOSFETs oferecem diversas vantagens, como:

  1. Alta eficiência: eles consomem muito pouca energia e podem alternar estados rapidamente, o que os torna altamente eficientes para aplicações de gerenciamento de energia.
  2. Baixa resistência de condução: eles têm baixa resistência quando ligados, o que minimiza a perda de potência e a geração de calor.
  3. Alta impedância de entrada: a estrutura de porta isolada resulta em impedância de entrada extremamente alta, tornando-os ideais para amplificação de sinais de alta impedância.

Em resumo, FETs simples, particularmente MOSFETs, são componentes fundamentais na eletrônica moderna, conhecidos por sua eficiência, velocidade e versatilidade em uma ampla gama de aplicações, desde amplificação de sinal de baixa potência até chaveamento e controle de alta potência.