VideoLibrary

Paralleling GaN FETs

Paralleling GaN FETs from Nexperia.

4/14/2025 7:28:33 PM

Part List

ImagemNúmero de peça do fabricanteDescriçãoAvailable QuantityPreçoVer detalhes
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3GAN063-650WSAQGANFET N-CH 650V 34.5A TO247-30 - Immediate$9.80Ver detalhes
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247GAN041-650WSBQGAN041-650WSB/SOT429/TO-247199 - Immediate$11.91Ver detalhes
GAN111-650WSB/SOT429/TO-247GAN111-650WSBQGAN111-650WSB/SOT429/TO-247314 - Immediate$9.50Ver detalhes
GAN CASCODE FETSGAN039-650NTBJGAN CASCODE FETS611 - Immediate$12.10Ver detalhes
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NBBHP650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (817 - Immediate$12.10Ver detalhes

Related Videos

Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers
Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers

Publish Date: 2025-04-15

Switching evaluation of fast GaN devices
Switching evaluation of fast GaN devices

Publish Date: 2025-04-14

Nexperia cascode GaN FETs
Nexperia cascode GaN FETs

Publish Date: 2025-04-07

Related Product Highlight

Cascode GaN FETs Nexperia cascode GaN FETs have high power density, performance, and switching frequency for power system applications such as Industry 4.0 and renewable energy.
GaN FETs Nexperia's GaN FETs enable smaller, faster, cooler, lighter systems, with lower overall system cost.

Related Articles and Blogs

Os semicondutores de ampla banda proibida conduzem a eficiência em datacenters Uma vez que os datacenters têm enormes demandas de energia, são necessárias soluções de energia que possam reduzir as perdas de energia, aumentar a eficiência e melhorar o controle térmico.
Os semicondutores de ampla banda proibida estão remodelando o mundo dos transportes Todo o setor de transporte está passando por uma transformação radical com soluções para carros elétricos e híbridos e transporte de massa mais limpo.
Por que e como aplicar transístores de efeito de campo de GaN em aplicações eficientes de alimentação chaveada de tensão mais alta Melhore a eficiência energética e a densidade de potência em sistemas de alimentação chaveada de tensão mais alta, compreendendo os princípios e a aplicação correta dos FETs de GaN.