BSZ12DN20NS3GATMA1 está obsoleto e não é mais fabricado.
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Infineon Technologies
Em estoque: 39 940
Preço unitário : 1,73000 €
Ficha técnica

Equivalente paramétrico


Infineon Technologies
Em estoque: 0
Preço unitário : 1,59000 €
Ficha técnica
PG-TSDSON-8
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BSZ12DN20NS3GATMA1

Número de produto da DigiKey
BSZ12DN20NS3GATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR)
BSZ12DN20NS3GATMA1CT-ND - Fita cortada (CT)
BSZ12DN20NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Número de produto do fabricante
BSZ12DN20NS3GATMA1
Descrição
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 200 V 11,3A (Tc) 50W (Tc) Montagem em superfície PG-TSDSON-8
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
BSZ12DN20NS3GATMA1 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Séries
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Obsoleto
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
125mOhm a 5,7A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 25µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
8.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
680 pF @ 100 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
50W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
PG-TSDSON-8
Pacote / Invólucro
Número base de produto
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Obsoleto
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