FETs, MOSFETs individuais

Resultados : 40 135
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyCoolCADDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEPC Space, LLCFairchild Semiconductor
Séries
-*2N7002KAlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Automotive, AEC-Q100Automotive, AEC-Q100, HEXFET®Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Embalagem
BandejaCaixaDigi-Reel®Fita cortada (CT)Fita e caixa (TB)Fita e carretel (TR)GranelSacoTiraTubo
Situação do produto
AtivoDescontinuado na Digi-KeyNão para novos designsObsoletoÚltima compra
Tipo de FET
-Canal NCanal P
Tecnologia
-GaNFET (Cascode FET de nitreto de gálio)GaNFET (nitreto de gálio)MOSFET (óxido metálico)SiC (transistor de junção de carboneto de silício)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
5 V5.5 V6 V7 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)30mA34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
0V0V, 10V0V, 6V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,2V, 5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
0,29mOhm a 50A, 10V0,3mOhm a 200A, 10V0,35mOhm a 50A, 10V0,4mOhm a 150A, 10V0,4mOhm a 30A, 10V0,4mOhm a 50A, 10V0,42mOhm a 50A, 10V0,44mOhm a 88A, 10V0,45mOhm a 30A, 10V0,45mOhm a 50A, 10V0,45mOhm a 60A, 4,5V0,45mOhm para 30A, 7V
Vgs(th) (máx.) para Id
400mV a 1mA (mín.)400mV a 250µA (mín.)450mV a 100µA (mín.)450mV a 1mA (mín.)450mV a 250µA (mín.)450mV a 2mA (mín.)500mV a 250µA (mín.)570mV a 1mA (típ.)600mV a 1,2mA (mín.)600mV a 1mA (mín.)600mV a 1mA (típ.)600mV a 250µA (mín.)
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
0.7 pC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.2 nC @ 8 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
-20V-12V-10V-10V, +20V-8V-8V, +19V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V7 pF @ 3 V7.1 pF @ 10 V
Característica FET
-Diodo Schottky (corpo)Diodo Schottky (isolado)Diodo de detecção de temperaturaModo de DepleçãoPadrãoSensível a corrente
Dissipação de potência (máx.)
100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)160mW170mW (Ta)
Temperatura de operação
-65°C a 150°C (TJ)-65°C a 175°C (TJ)-60°C a 175°C (TJ)-55°C a 110°C (TA)-55°C a 125°C (TA)-55°C a 125°C (TJ)-55°C a 125°C-55°C a 135°C (TJ)-55°C a 150°C (TA)-55°C a 150°C (TJ)-55°C a 150°C-55°C a 155°C (TJ)
Grau
-AutomotivoMilitar
Qualificação
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601
Tipo de montagem
-Furo passanteMontagem em chassisMontagem em superfícieMontagem em superfície, flanco impregnável
Invólucro do dispositivo fornecido
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCLGA (3,2x2,2)3-LDPAK3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK
Pacote / Invólucro
2-DFN com pad exposto3-DFN com pad exposto3-FLGA3-PowerSMD, condutores planos3-PowerTDFN3-SIP3-SMD, SOT-23-3, variante3-SMD, condutores planos3-SMD, condutores planos3-SMD, não padrão3-SMD, sem condutores3-UDFN
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Opções ambientais
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
Preço
Séries
Embalagem
Situação do produto
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
Vgs(th) (máx.) para Id
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
Vgs (máx.)
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
Característica FET
Dissipação de potência (máx.)
Temperatura de operação
Grau
Qualificação
Tipo de montagem
Invólucro do dispositivo fornecido
Pacote / Invólucro
BC817-16-TP
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
47 461
Em estoque
1 : 0,15000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,02746 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)60 V115mA (Ta)5V, 10V7,5Ohm a 500mA, 10V2,5V a 250µA-±20V50 pF @ 25 V-200mW (Ta)-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN63D8LW-13
MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Diodes Incorporated
35 786
Em estoque
1 770 000
Fábrica
1 : 0,22000 €
Fita cortada (CT)
10 000 : 0,02802 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)30 V380mA (Ta)2,5V, 10V2,8Ohm a 250mA, 10V1,5V a 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-323SC-70, SOT-323
SC-101, SOT-883
SSM3K72KCT,L3F
MOSFET N-CH 60V 400MA CST3
Toshiba Semiconductor and Storage
118 944
Em estoque
1 : 0,22000 €
Fita cortada (CT)
10 000 : 0,02818 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)60 V400mA (Ta)4,5V, 10V1,5Ohm a 100mA, 10V2,1V a 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V40 pF @ 10 V-500mW (Ta)-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieCST3SC-101, SOT-883
SOT-323
DMN67D8LW-13
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
Diodes Incorporated
356 398
Em estoque
90 000
Fábrica
1 : 0,22000 €
Fita cortada (CT)
10 000 : 0,02849 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)60 V240mA (Ta)5V, 10V5Ohm a 500mA, 10V2,5V a 250µA0.82 nC @ 10 V±30V22 pF @ 25 V-320mW (Ta)-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-323SC-70, SOT-323
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 384 408
Em estoque
1 : 0,22000 €
Fita cortada (CT)
10 000 : 0,02880 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designsCanal NMOSFET (óxido metálico)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm a 500mA, 10V2,4V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C a 150°C (TJ)AutomotivoAEC-Q101Montagem em superfícieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
NX7002AK,215
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
634 984
Em estoque
1 : 0,17000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03018 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)60 V190mA (Ta)5V, 10V4,5Ohm a 100mA, 10V2,1V a 250µA0.43 nC @ 4.5 V±20V17 pF @ 10 V-265mW (Ta), 1,33W (Tc)-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
80 753
Em estoque
1 : 0,18000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03078 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)60 V190mA (Ta), 300mA (Tc)5V, 10V4,5Ohm a 100mA, 10V2,1V a 250µA0.43 nC @ 4.5 V±20V20 pF @ 10 V-265mW (Ta), 1,33W (Tc)-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
789 571
Em estoque
1 : 0,18000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03089 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)60 V115mA (Ta)5V, 10V7,5Ohm a 50mA, 5V2,5V a 250µA-±20V50 pF @ 25 V-370mW (Ta)-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BC817-16-TP
BSS138-TP
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Micro Commercial Co
72 185
Em estoque
1 : 0,18000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03203 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)50 V220mA (Tj)4,5V, 10V3,5Ohm a 220mA, 10V1,5V a 1mA-±20V60 pF @ 25 V-350mW-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
80 929
Em estoque
1 : 0,20000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03317 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)60 V320mA (Ta)4,5V, 10V1,6Ohm a 500mA, 10V2,3V a 250µA0.7 nC @ 4.5 V±20V24.5 pF @ 20 V-300mW (Ta)-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1 543 814
Em estoque
1 : 0,21000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03460 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)20 V200mA (Ta)1,2V, 2,5V1,2Ohm a 100mA, 2,5V1V a 1mA-±8V25 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--Montagem em superfícieEMT3F (SOT-416FL)SC-89, SOT-490
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
786 926
Em estoque
1 : 0,21000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03480 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal PMOSFET (óxido metálico)50 V180mA (Ta)10V7,5Ohm a 100mA, 10V2,1V a 250µA0.35 nC @ 5 V±20V36 pF @ 25 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C a 150°C (TJ)AutomotivoAEC-Q101Montagem em superfícieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
560 172
Em estoque
1 : 0,21000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03602 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)60 V260mA (Ta)4,5V, 10V2,5Ohm a 240mA, 10V2,5V a 250µA0.81 nC @ 5 V±20V26.7 pF @ 25 V-300mW (Tj)-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-101, SOT-883
SSM3K35CTC,L3F
MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C
Toshiba Semiconductor and Storage
237 060
Em estoque
1 : 0,28000 €
Fita cortada (CT)
10 000 : 0,03602 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)20 V250mA (Ta)1,2V, 4,5V1,1Ohm a 150mA, 4,5V1V a 100µA0.34 nC @ 4.5 V±10V36 pF @ 10 V-500mW (Ta)150°C (TJ)--Montagem em superfícieCST3CSC-101, SOT-883
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
504 107
Em estoque
99 000
Fábrica
1 : 0,22000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03643 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)30 V350mA (Ta)2,5V, 10V2,8Ohm a 250mA, 10V1,5V a 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
96 318
Em estoque
1 : 0,22000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03643 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)60 V260mA (Ta)4,5V, 10V2,5Ohm a 240mA, 10V2,6V a 250µA0.81 nC @ 5 V±30V40 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138K-13
MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23
Diodes Incorporated
426 623
Em estoque
510 000
Fábrica
1 : 0,28000 €
Fita cortada (CT)
10 000 : 0,03694 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)50 V310mA (Ta)10V3,5Ohm a 220mA, 10V1,5V a 250µA0.95 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-380mW (Ta)-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 241 791
Em estoque
1 : 0,22000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03744 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Não para novos designsCanal NMOSFET (óxido metálico)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm a 500mA, 10V2,4V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C a 150°C (TJ)AutomotivoAEC-Q100Montagem em superfícieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
355 506
Em estoque
7 992 000
Fábrica
1 : 0,22000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03744 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal PMOSFET (óxido metálico)50 V130mA (Ta)5V10Ohm a 100mA, 5V2V a 1mA-±20V45 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
923 921
Em estoque
1 : 0,23000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03824 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm a 300mA, 10V1,5V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C a 150°C (TA)AutomotivoAEC-Q101Montagem em superfícieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
881 749
Em estoque
1 : 0,23000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,03867 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)50 V200mA (Ta)0,9V, 4,5V2,2Ohm a 200mA, 4,5V800mV a 1mA-±8V26 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--Montagem em superfícieUMT3FSC-85
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
558 279
Em estoque
1 : 0,25000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,04070 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)100 V170mA (Ta)10V6Ohm a 170mA, 10V2V a 1mA-±20V60 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
389 288
Em estoque
1 : 0,25000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,04111 €
Fita e carretel (TR)
-
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)60 V115mA (Tc)5V, 10V7,5Ohm a 500mA, 10V2,5V a 250µA-±20V50 pF @ 25 V-225mW (Ta)-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 002 348
Em estoque
1 : 0,25000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,04129 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
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AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)60 V350mA (Ta)10V1,6Ohm a 500mA, 10V2,1V a 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-370mW (Ta)150°C (TJ)AutomotivoAEC-Q101Montagem em superfícieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
942 269
Em estoque
1 : 0,26000 €
Fita cortada (CT)
3 000 : 0,04335 €
Fita e carretel (TR)
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
AtivoCanal NMOSFET (óxido metálico)60 V300mA (Ta)4,5V, 10V2Ohm a 500mA, 10V2,5V a 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V30 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C a 150°C (TJ)--Montagem em superfícieSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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FETs, MOSFETs individuais

Os transistores de efeito de campo (FETs) discretos são amplamente usados na conversão de energia, controle de motor, iluminação de estado sólido e outras aplicações em que suas capacidades características são vantajosas de serem ligados e desligados em altas frequências, enquanto transportam quantidades substanciais de corrente. Eles são usados quase universalmente para aplicações que exigem dimensionamentos de tensão de algumas centenas de volts ou menos, acima das quais outros tipos de dispositivos, como os IGBTs, se tornam mais competitivos.